Mua Texas Instruments CSD19506KTT MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

CSD19506KTT

MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3

Mã sản phẩm

CSD19506KTT

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Texas Instruments

Loạt

NexFET™

Trạng thái một phần

Active

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

Gói thiết bị của nhà cung cấp

DDPAK/TO-263-3

Tản điện (Tối đa)

375W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Xả điện áp nguồn (Vdss)

80V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

200A (Ta)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

2.3 mOhm @ 100A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

3.2V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

156nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

12200pF @ 40V

VSS (Tối đa)

±20V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

6V, 10V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 20337 PCS

Thông tin liên lạc