Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
CSD19531Q5AT
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
Mã sản phẩm
CSD19531Q5AT
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
NexFET™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-PowerTDFN
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-VSONP (5x6)
Tản điện (Tối đa)
3.3W (Ta), 125W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
6.4 mOhm @ 16A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3.3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
48nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
3870pF @ 50V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
6V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 39468 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của CSD19531Q5AT
CSD19531Q5AT Linh kiện điện tử
CSD19531Q5AT Việc bán hàng
CSD19531Q5AT Nhà cung cấp
CSD19531Q5AT Nhà phân phối
CSD19531Q5AT Bảng dữ liệu
CSD19531Q5AT Ảnh
CSD19531Q5AT Giá
CSD19531Q5AT Lời đề nghị
CSD19531Q5AT Giá thấp nhất
CSD19531Q5AT Tìm kiếm
CSD19531Q5AT Thu mua
CSD19531Q5AT Chip