Mua Texas Instruments CSD23201W10 MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

CSD23201W10

MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA

Mã sản phẩm

CSD23201W10

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Texas Instruments

Loạt

NexFET™

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Tape & Reel (TR)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

4-UFBGA, DSBGA

Gói thiết bị của nhà cung cấp

4-DSBGA (1x1)

Tản điện (Tối đa)

1W (Ta)

Loại FET

P-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

12V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

2.2A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

82 mOhm @ 500mA, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

1V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

2.4nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

325pF @ 6V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

1.5V, 4.5V

VSS (Tối đa)

-6V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 7601 PCS

Thông tin liên lạc