CSD86336Q3DT
SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL
Mã sản phẩm
CSD86336Q3DT
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
NexFET™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 125°C
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-PowerTDFN
Sức mạnh tối đa
6W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-VSON (3.3x3.3)
Loại FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Tính năng FET
Logic Level Gate, 5V Drive
Xả điện áp nguồn (Vdss)
25V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
9.1 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 18264 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của CSD86336Q3DT
CSD86336Q3DT Linh kiện điện tử
CSD86336Q3DT Việc bán hàng
CSD86336Q3DT Nhà cung cấp
CSD86336Q3DT Nhà phân phối
CSD86336Q3DT Bảng dữ liệu
CSD86336Q3DT Ảnh
CSD86336Q3DT Giá
CSD86336Q3DT Lời đề nghị
CSD86336Q3DT Giá thấp nhất
CSD86336Q3DT Tìm kiếm
CSD86336Q3DT Thu mua
CSD86336Q3DT Chip