Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
TLV3702IDR

TLV3702IDR

IC COMP DUAL P-P NANOPWR 8SOIC
Mã sản phẩm
TLV3702IDR
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Nhiệt độ hoạt động
-40°C ~ 125°C
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Kiểu
General Purpose
Loại đầu ra
CMOS, Push-Pull, Rail-to-Rail
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-SOIC
Số phần tử
2
Điện áp - Nguồn, Đơn/Kép (�)
2.7 V ~ 16 V, ±1.35 V ~ 8 V
Điện áp - Độ lệch đầu vào (Tối đa)
5mV @ 15V
Hiện tại - Xu hướng đầu vào (Tối đa)
250pA @ 15V
Hiện tại - Đầu ra (Loại)
10mA
Hiện tại - Không hoạt động (Tối đa)
1µA
CMRR, PSRR (Loại)
88dB CMRR, 105dB PSRR
Độ trễ lan truyền (Tối đa)
-
Độ trễ
-
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 14036 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của TLV3702IDR
TLV3702IDR Linh kiện điện tử
TLV3702IDR Việc bán hàng
TLV3702IDR Nhà cung cấp
TLV3702IDR Nhà phân phối
TLV3702IDR Bảng dữ liệu
TLV3702IDR Ảnh
TLV3702IDR Giá
TLV3702IDR Lời đề nghị
TLV3702IDR Giá thấp nhất
TLV3702IDR Tìm kiếm
TLV3702IDR Thu mua
TLV3702IDR Chip