Mua Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2206(TE6,F,M) TRANS NPN 2A 100V TO226-3

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

2SD2206(TE6,F,M)

TRANS NPN 2A 100V TO226-3

Mã sản phẩm

2SD2206(TE6,F,M)

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Toshiba Semiconductor and Storage

Loạt

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Bulk

Nhiệt độ hoạt động

150°C (TJ)

Kiểu lắp

Through Hole

Gói / Thùng

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

Sức mạnh tối đa

900mW

Gói thiết bị của nhà cung cấp

TO-92MOD

Loại bóng bán dẫn

NPN

Hiện tại - Collector (Ic) (Max)

Điện áp - Sự cố bộ phát cực thu (Tối đa)

100V

Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic

1.5V @ 1mA, 1A

Hiện tại - Ngưỡng thu thập (Tối đa)

10µA (ICBO)

Mức tăng dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce

2000 @ 1A, 2V

Tần số - Chuyển tiếp

100MHz

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 45044 PCS

Thông tin liên lạc