Mua Toshiba Semiconductor and Storage RN1110MFV,L3F TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

RN1110MFV,L3F

TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Mã sản phẩm

RN1110MFV,L3F

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Toshiba Semiconductor and Storage

Loạt

Trạng thái một phần

Discontinued at Digi-Key

Bao bì

Digi-Reel®

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

SOT-723

Sức mạnh tối đa

150mW

Gói thiết bị của nhà cung cấp

VESM

Loại bóng bán dẫn

NPN - Pre-Biased

Hiện tại - Collector (Ic) (Max)

100mA

Điện áp - Sự cố bộ phát cực thu (Tối đa)

50V

Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 5mA

Hiện tại - Ngưỡng thu thập (Tối đa)

100nA (ICBO)

Mức tăng dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V

Tần số - Chuyển tiếp

Điện Trở - Đế (R1)

4.7 kOhms

Điện trở - Đế phát (R2)

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 43330 PCS

Thông tin liên lạc