Mua Toshiba Semiconductor and Storage RN1907FE,LF(CT TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

RN1907FE,LF(CT

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Mã sản phẩm

RN1907FE,LF(CT

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Toshiba Semiconductor and Storage

Trạng thái một phần

Active

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

SOT-563, SOT-666

Sức mạnh tối đa

100mW

Gói thiết bị của nhà cung cấp

ES6

Loại bóng bán dẫn

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Hiện tại - Collector (Ic) (Max)

100mA

Điện áp - Sự cố bộ phát cực thu (Tối đa)

50V

Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Hiện tại - Ngưỡng thu thập (Tối đa)

100nA (ICBO)

Mức tăng dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Tần số - Chuyển tiếp

250MHz

Điện Trở - Đế (R1)

10 kOhms

Điện trở - Đế phát (R2)

47 kOhms

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 52868 PCS

Thông tin liên lạc