Mua Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J213FE(TE85L,F MOSFET P CH 20V 2.6A ES6

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SSM6J213FE(TE85L,F

MOSFET P CH 20V 2.6A ES6

Mã sản phẩm

SSM6J213FE(TE85L,F

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Toshiba Semiconductor and Storage

Loạt

U-MOSVI

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Digi-Reel®

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

SOT-563, SOT-666

Gói thiết bị của nhà cung cấp

ES6

Tản điện (Tối đa)

500mW (Ta)

Loại FET

P-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

20V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

2.6A (Ta)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

103 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

1V @ 1mA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

4.7nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 10V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

1.5V, 4.5V

VSS (Tối đa)

±8V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến chen_hx1688@hotmail.com, chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 12557 PCS

Thông tin liên lạc