Mua Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J507NU,LF MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFN

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SSM6J507NU,LF

MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFN

Mã sản phẩm

SSM6J507NU,LF

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Toshiba Semiconductor and Storage

Loạt

U-MOSVI

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Digi-Reel®

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

6-WDFN Exposed Pad

Gói thiết bị của nhà cung cấp

6-UDFNB (2x2)

Tản điện (Tối đa)

1.25W (Ta)

Loại FET

P-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

30V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

10A (Ta)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

20 mOhm @ 4A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

2.2V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

20.4nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 15V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

4V, 10V

VSS (Tối đa)

+20V, -25V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 31471 PCS

Thông tin liên lạc