Mua Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N36FE,LM MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SSM6N36FE,LM

MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6

Mã sản phẩm

SSM6N36FE,LM

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Toshiba Semiconductor and Storage

Loạt

Trạng thái một phần

Discontinued at Digi-Key

Bao bì

Cut Tape (CT)

Nhiệt độ hoạt động

150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

SOT-563, SOT-666

Sức mạnh tối đa

150mW

Gói thiết bị của nhà cung cấp

ES6 (1.6x1.6)

Loại FET

2 N-Channel (Dual)

Tính năng FET

Logic Level Gate

Xả điện áp nguồn (Vdss)

20V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

500mA

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

630 mOhm @ 200mA, 5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

1V @ 1mA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

1.23nC @ 4V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

46pF @ 10V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 9145 PCS

Thông tin liên lạc