Mua Toshiba Semiconductor and Storage TK10J80E,S1E MOSFET N-CH 800V TO-3PN

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

TK10J80E,S1E

MOSFET N-CH 800V TO-3PN

Mã sản phẩm

TK10J80E,S1E

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Toshiba Semiconductor and Storage

Loạt

π-MOSVIII

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Tube

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

150°C (TJ)

Kiểu lắp

Through Hole

Gói / Thùng

TO-3P-3, SC-65-3

Gói thiết bị của nhà cung cấp

TO-3P(N)

Tản điện (Tối đa)

250W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

800V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

10A (Ta)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

1 Ohm @ 5A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

4V @ 1mA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

46nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 25V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

±30V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 48328 PCS

Thông tin liên lạc