Mua Toshiba Semiconductor and Storage TK10Q60W,S1VQ MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

TK10Q60W,S1VQ

MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK

Mã sản phẩm

TK10Q60W,S1VQ

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Toshiba Semiconductor and Storage

Loạt

DTMOSIV

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Tube

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

150°C (TJ)

Kiểu lắp

Through Hole

Gói / Thùng

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Gói thiết bị của nhà cung cấp

I-PAK

Tản điện (Tối đa)

80W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

600V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

9.7A (Ta)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

430 mOhm @ 4.9A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

3.7V @ 500µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

20nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 300V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

±30V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 19318 PCS

Thông tin liên lạc