Mua Toshiba Semiconductor and Storage TK16G60W,RVQ MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

TK16G60W,RVQ

MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK

Mã sản phẩm

TK16G60W,RVQ

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Toshiba Semiconductor and Storage

Loạt

DTMOSIV

Trạng thái một phần

Discontinued at Digi-Key

Bao bì

Digi-Reel®

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gói thiết bị của nhà cung cấp

D2PAK

Tản điện (Tối đa)

130W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Super Junction

Xả điện áp nguồn (Vdss)

600V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

15.8A (Ta)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

190 mOhm @ 7.9A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

3.7V @ 790µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

38nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 300V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

±30V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 15470 PCS

Thông tin liên lạc