Mua Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60X,LQ MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

TK31V60X,LQ

MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN

Mã sản phẩm

TK31V60X,LQ

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Toshiba Semiconductor and Storage

Loạt

DTMOSIV-H

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

4-VSFN Exposed Pad

Gói thiết bị của nhà cung cấp

4-DFN-EP (8x8)

Tản điện (Tối đa)

240W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Super Junction

Xả điện áp nguồn (Vdss)

600V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

30.8A (Ta)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

98 mOhm @ 9.4A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

3.5V @ 1.5mA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

65nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 300V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

±30V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 9799 PCS

Thông tin liên lạc