Mua Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8010-H(TE12L,Q MOSFET N-CH 200V 5.5A 8-SOPA

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

TPCA8010-H(TE12L,Q

MOSFET N-CH 200V 5.5A 8-SOPA

Mã sản phẩm

TPCA8010-H(TE12L,Q

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Toshiba Semiconductor and Storage

Loạt

π-MOSV

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-PowerVDFN

Gói thiết bị của nhà cung cấp

8-SOP Advance (5x5)

Tản điện (Tối đa)

1.6W (Ta), 45W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

200V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

5.5A (Ta)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

450 mOhm @ 2.7A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

4V @ 1mA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

10nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 10V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 47957 PCS

Thông tin liên lạc