Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
TPH6R30ANL,L1Q
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Mã sản phẩm
TPH6R30ANL,L1Q
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
U-MOSVIII-H
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
-
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
150°C
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-PowerVDFN
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-SOP Advance (5x5)
Tản điện (Tối đa)
2.5W (Ta), 54W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
66A (Ta), 45A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
6.3 mOhm @ 22.5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 500µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
55nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
4300pF @ 50V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 13520 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của TPH6R30ANL,L1Q
TPH6R30ANL,L1Q Linh kiện điện tử
TPH6R30ANL,L1Q Việc bán hàng
TPH6R30ANL,L1Q Nhà cung cấp
TPH6R30ANL,L1Q Nhà phân phối
TPH6R30ANL,L1Q Bảng dữ liệu
TPH6R30ANL,L1Q Ảnh
TPH6R30ANL,L1Q Giá
TPH6R30ANL,L1Q Lời đề nghị
TPH6R30ANL,L1Q Giá thấp nhất
TPH6R30ANL,L1Q Tìm kiếm
TPH6R30ANL,L1Q Thu mua
TPH6R30ANL,L1Q Chip