Mua Toshiba Semiconductor and Storage TPN1600ANH,L1Q MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

TPN1600ANH,L1Q

MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV

Mã sản phẩm

TPN1600ANH,L1Q

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Toshiba Semiconductor and Storage

Loạt

U-MOSVIII-H

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-PowerVDFN

Gói thiết bị của nhà cung cấp

8-TSON Advance (3.3x3.3)

Tản điện (Tối đa)

700mW (Ta), 42W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

100V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

17A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

16 mOhm @ 8.5A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

4V @ 200µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

19nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 50V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 40346 PCS

Thông tin liên lạc