Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
TPH3206LDGB
MOSFET N-CH 650V 16A PQFN
Mã sản phẩm
TPH3206LDGB
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
GaNFET (Gallium Nitride)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
3-PowerDFN
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PQFN (8x8)
Tản điện (Tối đa)
81W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
650V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
180 mOhm @ 11A, 8V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.6V @ 500µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
9.3nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
760pF @ 480V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
8V
VSS (Tối đa)
±18V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 10376 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của TPH3206LDGB
TPH3206LDGB Linh kiện điện tử
TPH3206LDGB Việc bán hàng
TPH3206LDGB Nhà cung cấp
TPH3206LDGB Nhà phân phối
TPH3206LDGB Bảng dữ liệu
TPH3206LDGB Ảnh
TPH3206LDGB Giá
TPH3206LDGB Lời đề nghị
TPH3206LDGB Giá thấp nhất
TPH3206LDGB Tìm kiếm
TPH3206LDGB Thu mua
TPH3206LDGB Chip