Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
TPH3208LDG
MOSFET N-CH 650V 20A PQFN
Mã sản phẩm
TPH3208LDG
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
GaNFET (Gallium Nitride)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
3-PowerDFN
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PQFN (8x8)
Tản điện (Tối đa)
96W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
650V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
130 mOhm @ 13A, 8V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.6V @ 300µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
14nC @ 8V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
760pF @ 400V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
8V
VSS (Tối đa)
±18V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 14520 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của TPH3208LDG
TPH3208LDG Linh kiện điện tử
TPH3208LDG Việc bán hàng
TPH3208LDG Nhà cung cấp
TPH3208LDG Nhà phân phối
TPH3208LDG Bảng dữ liệu
TPH3208LDG Ảnh
TPH3208LDG Giá
TPH3208LDG Lời đề nghị
TPH3208LDG Giá thấp nhất
TPH3208LDG Tìm kiếm
TPH3208LDG Thu mua
TPH3208LDG Chip