Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRF610LPBF
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
Mã sản phẩm
IRF610LPBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
I2PAK
Tản điện (Tối đa)
3W (Ta), 36W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
200V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
3.3A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
1.5 Ohm @ 2A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
8.2nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 47374 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IRF610LPBF
IRF610LPBF Linh kiện điện tử
IRF610LPBF Việc bán hàng
IRF610LPBF Nhà cung cấp
IRF610LPBF Nhà phân phối
IRF610LPBF Bảng dữ liệu
IRF610LPBF Ảnh
IRF610LPBF Giá
IRF610LPBF Lời đề nghị
IRF610LPBF Giá thấp nhất
IRF610LPBF Tìm kiếm
IRF610LPBF Thu mua
IRF610LPBF Chip