Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRF640PBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
Mã sản phẩm
IRF640PBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Bulk
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-220-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-220AB
Tản điện (Tối đa)
125W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
200V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
180 mOhm @ 11A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
70nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 29993 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IRF640PBF
IRF640PBF Linh kiện điện tử
IRF640PBF Việc bán hàng
IRF640PBF Nhà cung cấp
IRF640PBF Nhà phân phối
IRF640PBF Bảng dữ liệu
IRF640PBF Ảnh
IRF640PBF Giá
IRF640PBF Lời đề nghị
IRF640PBF Giá thấp nhất
IRF640PBF Tìm kiếm
IRF640PBF Thu mua
IRF640PBF Chip