Mua Vishay Siliconix IRF640STRRPBF MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

IRF640STRRPBF

MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

Mã sản phẩm

IRF640STRRPBF

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Digi-Reel®

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gói thiết bị của nhà cung cấp

TO-263 (D²Pak)

Tản điện (Tối đa)

3.1W (Ta), 130W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

200V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

18A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

180 mOhm @ 11A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

4V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

70nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 42579 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

IRF60B217

MOSFET N-CH 60V 60A