Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRF9Z10PBF

IRF9Z10PBF

MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Mã sản phẩm
IRF9Z10PBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-220-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-220AB
Tản điện (Tối đa)
43W (Tc)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
60V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
500 mOhm @ 4A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
12nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
270pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 9743 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IRF9Z10PBF
IRF9Z10PBF Linh kiện điện tử
IRF9Z10PBF Việc bán hàng
IRF9Z10PBF Nhà cung cấp
IRF9Z10PBF Nhà phân phối
IRF9Z10PBF Bảng dữ liệu
IRF9Z10PBF Ảnh
IRF9Z10PBF Giá
IRF9Z10PBF Lời đề nghị
IRF9Z10PBF Giá thấp nhất
IRF9Z10PBF Tìm kiếm
IRF9Z10PBF Thu mua
IRF9Z10PBF Chip