Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRFD123PBF
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Mã sản phẩm
IRFD123PBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Tản điện (Tối đa)
1.3W (Ta)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
270 mOhm @ 780mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
16nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
360pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 9940 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IRFD123PBF
IRFD123PBF Linh kiện điện tử
IRFD123PBF Việc bán hàng
IRFD123PBF Nhà cung cấp
IRFD123PBF Nhà phân phối
IRFD123PBF Bảng dữ liệu
IRFD123PBF Ảnh
IRFD123PBF Giá
IRFD123PBF Lời đề nghị
IRFD123PBF Giá thấp nhất
IRFD123PBF Tìm kiếm
IRFD123PBF Thu mua
IRFD123PBF Chip