Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRFDC20PBF
MOSFET N-CH 600V 320MA 4-DIP
Mã sản phẩm
IRFDC20PBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Tản điện (Tối đa)
1W (Ta)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
600V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
320mA (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
4.4 Ohm @ 190mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
18nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 49436 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IRFDC20PBF
IRFDC20PBF Linh kiện điện tử
IRFDC20PBF Việc bán hàng
IRFDC20PBF Nhà cung cấp
IRFDC20PBF Nhà phân phối
IRFDC20PBF Bảng dữ liệu
IRFDC20PBF Ảnh
IRFDC20PBF Giá
IRFDC20PBF Lời đề nghị
IRFDC20PBF Giá thấp nhất
IRFDC20PBF Tìm kiếm
IRFDC20PBF Thu mua
IRFDC20PBF Chip