Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRFUC20PBF
MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK
Mã sản phẩm
IRFUC20PBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-251AA
Tản điện (Tối đa)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
600V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
4.4 Ohm @ 1.2A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
18nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 27010 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IRFUC20PBF
IRFUC20PBF Linh kiện điện tử
IRFUC20PBF Việc bán hàng
IRFUC20PBF Nhà cung cấp
IRFUC20PBF Nhà phân phối
IRFUC20PBF Bảng dữ liệu
IRFUC20PBF Ảnh
IRFUC20PBF Giá
IRFUC20PBF Lời đề nghị
IRFUC20PBF Giá thấp nhất
IRFUC20PBF Tìm kiếm
IRFUC20PBF Thu mua
IRFUC20PBF Chip