Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI2308DS-T1-E3

SI2308DS-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Mã sản phẩm
SI2308DS-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Digi-Reel®
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
SOT-23-3 (TO-236)
Tản điện (Tối đa)
1.25W (Ta)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
60V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
-
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
160 mOhm @ 2A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
10nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
240pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 30264 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI2308DS-T1-E3
SI2308DS-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI2308DS-T1-E3 Việc bán hàng
SI2308DS-T1-E3 Nhà cung cấp
SI2308DS-T1-E3 Nhà phân phối
SI2308DS-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI2308DS-T1-E3 Ảnh
SI2308DS-T1-E3 Giá
SI2308DS-T1-E3 Lời đề nghị
SI2308DS-T1-E3 Giá thấp nhất
SI2308DS-T1-E3 Tìm kiếm
SI2308DS-T1-E3 Thu mua
SI2308DS-T1-E3 Chip