Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI2309DS-T1-E3

SI2309DS-T1-E3

MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3
Mã sản phẩm
SI2309DS-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Digi-Reel®
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
SOT-23-3 (TO-236)
Tản điện (Tối đa)
1.25W (Ta)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
60V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
-
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
340 mOhm @ 1.25A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
12nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 11469 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI2309DS-T1-E3
SI2309DS-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI2309DS-T1-E3 Việc bán hàng
SI2309DS-T1-E3 Nhà cung cấp
SI2309DS-T1-E3 Nhà phân phối
SI2309DS-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI2309DS-T1-E3 Ảnh
SI2309DS-T1-E3 Giá
SI2309DS-T1-E3 Lời đề nghị
SI2309DS-T1-E3 Giá thấp nhất
SI2309DS-T1-E3 Tìm kiếm
SI2309DS-T1-E3 Thu mua
SI2309DS-T1-E3 Chip