Mua Vishay Siliconix SI2312BDS-T1-E3 MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SI2312BDS-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Mã sản phẩm

SI2312BDS-T1-E3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET®

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gói thiết bị của nhà cung cấp

SOT-23-3 (TO-236)

Tản điện (Tối đa)

750mW (Ta)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

20V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

3.9A (Ta)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

31 mOhm @ 5A, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

850mV @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

12nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

1.8V, 4.5V

VSS (Tối đa)

±8V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 28900 PCS

Thông tin liên lạc