Mua Vishay Siliconix SI2315BDS-T1-E3 MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SI2315BDS-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Mã sản phẩm

SI2315BDS-T1-E3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET®

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gói thiết bị của nhà cung cấp

SOT-23-3 (TO-236)

Tản điện (Tối đa)

750mW (Ta)

Loại FET

P-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

12V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

3A (Ta)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

50 mOhm @ 3.85A, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

900mV @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

15nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

715pF @ 6V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

1.8V, 4.5V

VSS (Tối đa)

±8V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 40113 PCS

Thông tin liên lạc