Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI2323DS-T1-E3

SI2323DS-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Mã sản phẩm
SI2323DS-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
SOT-23-3 (TO-236)
Tản điện (Tối đa)
750mW (Ta)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
39 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
19nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1020pF @ 10V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
1.8V, 4.5V
VSS (Tối đa)
±8V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 49144 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI2323DS-T1-E3
SI2323DS-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI2323DS-T1-E3 Việc bán hàng
SI2323DS-T1-E3 Nhà cung cấp
SI2323DS-T1-E3 Nhà phân phối
SI2323DS-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI2323DS-T1-E3 Ảnh
SI2323DS-T1-E3 Giá
SI2323DS-T1-E3 Lời đề nghị
SI2323DS-T1-E3 Giá thấp nhất
SI2323DS-T1-E3 Tìm kiếm
SI2323DS-T1-E3 Thu mua
SI2323DS-T1-E3 Chip