Mua Vishay Siliconix SI2327DS-T1-E3 MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT23-3

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SI2327DS-T1-E3

MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT23-3

Mã sản phẩm

SI2327DS-T1-E3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET®

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gói thiết bị của nhà cung cấp

SOT-23-3 (TO-236)

Tản điện (Tối đa)

750mW (Ta)

Loại FET

P-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

200V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

380mA (Ta)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

2.35 Ohm @ 500mA, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

4.5V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

12nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

510pF @ 25V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

6V, 10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 52597 PCS

Thông tin liên lạc