Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI2333DS-T1-E3

SI2333DS-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Mã sản phẩm
SI2333DS-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
SOT-23-3 (TO-236)
Tản điện (Tối đa)
750mW (Ta)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
12V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
4.1A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
32 mOhm @ 5.3A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
18nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 6V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
1.8V, 4.5V
VSS (Tối đa)
±8V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 24381 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI2333DS-T1-E3
SI2333DS-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI2333DS-T1-E3 Việc bán hàng
SI2333DS-T1-E3 Nhà cung cấp
SI2333DS-T1-E3 Nhà phân phối
SI2333DS-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI2333DS-T1-E3 Ảnh
SI2333DS-T1-E3 Giá
SI2333DS-T1-E3 Lời đề nghị
SI2333DS-T1-E3 Giá thấp nhất
SI2333DS-T1-E3 Tìm kiếm
SI2333DS-T1-E3 Thu mua
SI2333DS-T1-E3 Chip