Mua Vishay Siliconix SI2369DS-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

SI2369DS-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236

Mã sản phẩm

SI2369DS-T1-GE3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET®

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Tape & Reel (TR)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gói thiết bị của nhà cung cấp

TO-236

Tản điện (Tối đa)

1.25W (Ta), 2.5W (Tc)

Loại FET

P-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

30V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

7.6A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

29 mOhm @ 5.4A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

2.5V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

36nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

1295pF @ 15V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

4.5V, 10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 31204 PCS

Thông tin liên lạc