Mua Vishay Siliconix SI2392ADS-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SI2392ADS-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23

Mã sản phẩm

SI2392ADS-T1-GE3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET®

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Digi-Reel®

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gói thiết bị của nhà cung cấp

SOT-23-3 (TO-236)

Tản điện (Tối đa)

1.25W (Ta), 2.5W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

100V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

3.1A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

126 mOhm @ 2A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

3V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

10.4nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

196pF @ 50V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

4.5V, 10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến chen_hx1688@hotmail.com, chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 16658 PCS

Thông tin liên lạc