Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI3433BDV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 4.3A 6-TSOP
Mã sản phẩm
SI3433BDV-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gói thiết bị của nhà cung cấp
6-TSOP
Tản điện (Tối đa)
1.1W (Ta)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
4.3A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
42 mOhm @ 5.6A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
850mV @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
18nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
1.8V, 4.5V
VSS (Tối đa)
±8V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 36233 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SI3433BDV-T1-E3
SI3433BDV-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI3433BDV-T1-E3 Việc bán hàng
SI3433BDV-T1-E3 Nhà cung cấp
SI3433BDV-T1-E3 Nhà phân phối
SI3433BDV-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI3433BDV-T1-E3 Ảnh
SI3433BDV-T1-E3 Giá
SI3433BDV-T1-E3 Lời đề nghị
SI3433BDV-T1-E3 Giá thấp nhất
SI3433BDV-T1-E3 Tìm kiếm
SI3433BDV-T1-E3 Thu mua
SI3433BDV-T1-E3 Chip