Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI3443BDV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP
Mã sản phẩm
SI3443BDV-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gói thiết bị của nhà cung cấp
6-TSOP
Tản điện (Tối đa)
1.1W (Ta)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
3.6A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
60 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1.4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
9nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
2.5V, 4.5V
VSS (Tối đa)
±12V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 48949 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SI3443BDV-T1-E3
SI3443BDV-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI3443BDV-T1-E3 Việc bán hàng
SI3443BDV-T1-E3 Nhà cung cấp
SI3443BDV-T1-E3 Nhà phân phối
SI3443BDV-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI3443BDV-T1-E3 Ảnh
SI3443BDV-T1-E3 Giá
SI3443BDV-T1-E3 Lời đề nghị
SI3443BDV-T1-E3 Giá thấp nhất
SI3443BDV-T1-E3 Tìm kiếm
SI3443BDV-T1-E3 Thu mua
SI3443BDV-T1-E3 Chip