Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI3451DV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP
Mã sản phẩm
SI3451DV-T1-E3
Trạng thái một phần
Obsolete
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gói / Thùng
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gói thiết bị của nhà cung cấp
6-TSOP
Tản điện (Tối đa)
1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
115 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
5.1nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 10V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
2.5V, 4.5V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến chen_hx1688@hotmail.com, chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 54634 PCS
Từ khóa của SI3451DV-T1-E3
SI3451DV-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI3451DV-T1-E3 Việc bán hàng
SI3451DV-T1-E3 Nhà cung cấp
SI3451DV-T1-E3 Nhà phân phối
SI3451DV-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI3451DV-T1-E3 Ảnh
SI3451DV-T1-E3 Giá
SI3451DV-T1-E3 Lời đề nghị
SI3451DV-T1-E3 Giá thấp nhất
SI3451DV-T1-E3 Tìm kiếm
SI3451DV-T1-E3 Thu mua
SI3451DV-T1-E3 Chip