Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI3456BDV-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-TSOP
Mã sản phẩm
SI3456BDV-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gói thiết bị của nhà cung cấp
6-TSOP
Tản điện (Tối đa)
1.1W (Ta)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
35 mOhm @ 6A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
13nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 21081 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SI3456BDV-T1-E3
SI3456BDV-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI3456BDV-T1-E3 Việc bán hàng
SI3456BDV-T1-E3 Nhà cung cấp
SI3456BDV-T1-E3 Nhà phân phối
SI3456BDV-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI3456BDV-T1-E3 Ảnh
SI3456BDV-T1-E3 Giá
SI3456BDV-T1-E3 Lời đề nghị
SI3456BDV-T1-E3 Giá thấp nhất
SI3456BDV-T1-E3 Tìm kiếm
SI3456BDV-T1-E3 Thu mua
SI3456BDV-T1-E3 Chip