Mua Vishay Siliconix SI3460BDV-T1-E3 MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SI3460BDV-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP

Mã sản phẩm

SI3460BDV-T1-E3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET®

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Gói thiết bị của nhà cung cấp

6-TSOP

Tản điện (Tối đa)

2W (Ta), 3.5W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

20V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

8A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

27 mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

1V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

24nC @ 8V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

860pF @ 10V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

1.8V, 4.5V

VSS (Tối đa)

±8V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 43756 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

SI3400-BZ-GM

IC POWER OVER ETHERNET 20QFN