Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI3473CDV-T1-GE3

SI3473CDV-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
Mã sản phẩm
SI3473CDV-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gói thiết bị của nhà cung cấp
6-TSOP
Tản điện (Tối đa)
2W (Ta), 4.2W (Tc)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
12V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
22 mOhm @ 8.1A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
65nC @ 8V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2010pF @ 6V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
1.8V, 4.5V
VSS (Tối đa)
±8V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 27028 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI3473CDV-T1-GE3
SI3473CDV-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SI3473CDV-T1-GE3 Việc bán hàng
SI3473CDV-T1-GE3 Nhà cung cấp
SI3473CDV-T1-GE3 Nhà phân phối
SI3473CDV-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SI3473CDV-T1-GE3 Ảnh
SI3473CDV-T1-GE3 Giá
SI3473CDV-T1-GE3 Lời đề nghị
SI3473CDV-T1-GE3 Giá thấp nhất
SI3473CDV-T1-GE3 Tìm kiếm
SI3473CDV-T1-GE3 Thu mua
SI3473CDV-T1-GE3 Chip