Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI3475DV-T1-E3
MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
Mã sản phẩm
SI3475DV-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gói thiết bị của nhà cung cấp
6-TSOP
Tản điện (Tối đa)
2W (Ta), 3.2W (Tc)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
200V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
950mA (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
1.61 Ohm @ 900mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
18nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
500pF @ 50V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
6V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 31591 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SI3475DV-T1-E3
SI3475DV-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI3475DV-T1-E3 Việc bán hàng
SI3475DV-T1-E3 Nhà cung cấp
SI3475DV-T1-E3 Nhà phân phối
SI3475DV-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI3475DV-T1-E3 Ảnh
SI3475DV-T1-E3 Giá
SI3475DV-T1-E3 Lời đề nghị
SI3475DV-T1-E3 Giá thấp nhất
SI3475DV-T1-E3 Tìm kiếm
SI3475DV-T1-E3 Thu mua
SI3475DV-T1-E3 Chip