Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI3483DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP
Mã sản phẩm
SI3483DV-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gói thiết bị của nhà cung cấp
6-TSOP
Tản điện (Tối đa)
1.14W (Ta)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
4.7A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
35 mOhm @ 6.2A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
35nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến chen_hx1688@hotmail.com, chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 41211 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SI3483DV-T1-GE3
SI3483DV-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SI3483DV-T1-GE3 Việc bán hàng
SI3483DV-T1-GE3 Nhà cung cấp
SI3483DV-T1-GE3 Nhà phân phối
SI3483DV-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SI3483DV-T1-GE3 Ảnh
SI3483DV-T1-GE3 Giá
SI3483DV-T1-GE3 Lời đề nghị
SI3483DV-T1-GE3 Giá thấp nhất
SI3483DV-T1-GE3 Tìm kiếm
SI3483DV-T1-GE3 Thu mua
SI3483DV-T1-GE3 Chip