Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI3812DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP
Mã sản phẩm
SI3812DV-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
LITTLE FOOT®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gói thiết bị của nhà cung cấp
6-TSOP
Tản điện (Tối đa)
830mW (Ta)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
Schottky Diode (Isolated)
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
4nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
2.5V, 4.5V
VSS (Tối đa)
±12V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến chen_hx1688@hotmail.com, chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 14903 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SI3812DV-T1-GE3
SI3812DV-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SI3812DV-T1-GE3 Việc bán hàng
SI3812DV-T1-GE3 Nhà cung cấp
SI3812DV-T1-GE3 Nhà phân phối
SI3812DV-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SI3812DV-T1-GE3 Ảnh
SI3812DV-T1-GE3 Giá
SI3812DV-T1-GE3 Lời đề nghị
SI3812DV-T1-GE3 Giá thấp nhất
SI3812DV-T1-GE3 Tìm kiếm
SI3812DV-T1-GE3 Thu mua
SI3812DV-T1-GE3 Chip