Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI4330DY-T1-E3

SI4330DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8-SOIC
Mã sản phẩm
SI4330DY-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Digi-Reel®
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Sức mạnh tối đa
1.1W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-SO
Loại FET
2 N-Channel (Dual)
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
6.6A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
16.5 mOhm @ 8.7A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
20nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 49528 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI4330DY-T1-E3
SI4330DY-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI4330DY-T1-E3 Việc bán hàng
SI4330DY-T1-E3 Nhà cung cấp
SI4330DY-T1-E3 Nhà phân phối
SI4330DY-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI4330DY-T1-E3 Ảnh
SI4330DY-T1-E3 Giá
SI4330DY-T1-E3 Lời đề nghị
SI4330DY-T1-E3 Giá thấp nhất
SI4330DY-T1-E3 Tìm kiếm
SI4330DY-T1-E3 Thu mua
SI4330DY-T1-E3 Chip