Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI4362BDY-T1-E3

SI4362BDY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 29A 8-SOIC
Mã sản phẩm
SI4362BDY-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-SO
Tản điện (Tối đa)
3W (Ta), 6.6W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
4.6 mOhm @ 19.8A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
115nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
4800pF @ 15V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±12V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 49950 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI4362BDY-T1-E3
SI4362BDY-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI4362BDY-T1-E3 Việc bán hàng
SI4362BDY-T1-E3 Nhà cung cấp
SI4362BDY-T1-E3 Nhà phân phối
SI4362BDY-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI4362BDY-T1-E3 Ảnh
SI4362BDY-T1-E3 Giá
SI4362BDY-T1-E3 Lời đề nghị
SI4362BDY-T1-E3 Giá thấp nhất
SI4362BDY-T1-E3 Tìm kiếm
SI4362BDY-T1-E3 Thu mua
SI4362BDY-T1-E3 Chip