Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI4427BDY-T1-E3

SI4427BDY-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-SOIC
Mã sản phẩm
SI4427BDY-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-SO
Tản điện (Tối đa)
1.5W (Ta)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
9.7A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
10.5 mOhm @ 12.6A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1.4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
70nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
2.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±12V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 41263 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI4427BDY-T1-E3
SI4427BDY-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI4427BDY-T1-E3 Việc bán hàng
SI4427BDY-T1-E3 Nhà cung cấp
SI4427BDY-T1-E3 Nhà phân phối
SI4427BDY-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI4427BDY-T1-E3 Ảnh
SI4427BDY-T1-E3 Giá
SI4427BDY-T1-E3 Lời đề nghị
SI4427BDY-T1-E3 Giá thấp nhất
SI4427BDY-T1-E3 Tìm kiếm
SI4427BDY-T1-E3 Thu mua
SI4427BDY-T1-E3 Chip