Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI4472DY-T1-GE3

SI4472DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
Mã sản phẩm
SI4472DY-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Last Time Buy
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-SO
Tản điện (Tối đa)
3.1W (Ta), 5.9W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
150V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
7.7A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
45 mOhm @ 5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
43nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1735pF @ 50V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
8V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 9306 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI4472DY-T1-GE3
SI4472DY-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SI4472DY-T1-GE3 Việc bán hàng
SI4472DY-T1-GE3 Nhà cung cấp
SI4472DY-T1-GE3 Nhà phân phối
SI4472DY-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SI4472DY-T1-GE3 Ảnh
SI4472DY-T1-GE3 Giá
SI4472DY-T1-GE3 Lời đề nghị
SI4472DY-T1-GE3 Giá thấp nhất
SI4472DY-T1-GE3 Tìm kiếm
SI4472DY-T1-GE3 Thu mua
SI4472DY-T1-GE3 Chip