Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI4562DY-T1-E3

SI4562DY-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
Mã sản phẩm
SI4562DY-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Sức mạnh tối đa
2W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-SO
Loại FET
N and P-Channel
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
-
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1.6V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
50nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 53220 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI4562DY-T1-E3
SI4562DY-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI4562DY-T1-E3 Việc bán hàng
SI4562DY-T1-E3 Nhà cung cấp
SI4562DY-T1-E3 Nhà phân phối
SI4562DY-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI4562DY-T1-E3 Ảnh
SI4562DY-T1-E3 Giá
SI4562DY-T1-E3 Lời đề nghị
SI4562DY-T1-E3 Giá thấp nhất
SI4562DY-T1-E3 Tìm kiếm
SI4562DY-T1-E3 Thu mua
SI4562DY-T1-E3 Chip